Masaharu Kobayashi 교수 연구 프로필
도쿄대학 · 전기계공학과
소개
도쿄대학 전기계공학과 소속 Masaharu Kobayashi 교수의 등록된 연구 분야는 semiconductor transistors, memory devices, nanoelectronics입니다.
연구 키워드
최근 논문
- Electric-field dependence of cycle endurance in HfO2-based ferroelectric capacitorsJournal of Applied Physics · 8월 12일
- Temperature-dependent electrical characteristics of selectively crystallized InGaOx gate-all-around nanosheet FETsApplied Physics Express · 8월 1일
OpenAlex 기준 · 저자 소속이 이 대학으로 확인된 논문이에요
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Takahiro Shimada 교수 연구실
교토대학 · 기계공학과
Ferroelectric domain-wall dynamics in point-defects elastic fields: A phase-field studyActa Materialia · 9월 4일겹치는 주제: Ferroelectric and Piezoelectric Materials
황철성 교수 연구실
서울대학교 · 재료공학부
Achieving Robust Ferroelectric Properties of Hf0.6Zr0.4O2 Thin Films through the Pseudofield-Inducing Effect of Al0.85Sc0.15N Bottom Electrode새 논문ACS Nano · 10월 20일겹치는 주제: Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
심재원 교수 연구실
고려대학교 · 전기전자공학부
Harnessing Selective Defect Formation for Filament Control in Reliable and Energy‐Efficient Perovskite Resistive Random Access MemoryAdvanced Functional Materials · 9월 16일겹치는 주제: Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
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speech information processing, audio analysis, deep learning